一亿颗出货量之后,FD-SOI还要翻越哪些山丘?

关键词：出货量 finfet 半导体工艺 山丘 绝缘体上硅 

摘要：2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鳍式晶体管)与FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)技术,为25纳米及以下半导体工艺发展指明方向。台积电和英特尔都选择了FinFET工艺,这使其成为逻辑工艺的主流方向.

中国集成电路杂志要求:

{1}稿件应包括作者姓名、单位、职称、联系电话、通讯地址、电邮地址。

{2}提倡一稿专投、反对一文多用，凡已在公开出版物、互联网上发表的文章，一律不予以采用。

{3}文章大标题不超过20字，要简明、具体、可以概括全文，特别有必要的时候可以加副标题。

{4}参考文献：论文中直接或间接引用他人研究成果的，均需标注参考文献。

{5}摘要中文摘要400～500字，必须标明：目的、方法、结果、结论4部分，有对应的英文，英文摘要须包括：OBJECTIVE,METHODS,RESULTS,CONCLUSIONS。最好将本文创新点写在结论部分。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社