NHEJ通路相关基因在电离辐射所致脑损伤中的表达情况研究

关键词：电离辐射 xrcc4基因 xrcc5基因 xrcc6基因 dna双链断裂修复 

摘要：目的通过对大鼠头部进行不同剂量的照射,研究NHEJ通路相关基因在电离辐射所致脑损伤中的表达情况。方法利用医用电子加速器装置对SD大鼠分别进行10 Gy、20 Gy、30 Gy的照射,并于照后30天提取动物海马组织中的总RNA;30 Gy照射组在照后6 h、24 h、72 h、7天、30天五个不同时间点提取动物海马组织中的总RNA。使用实时荧光定量PCR技术对NHEJ通路中的XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表达情况进行研究。结果经照射大鼠海马组织中与DNA修复相关的基因XRCC4、XRCC5和XRCC6表达均有所上调;20 Gy组XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表达量较10 Gy和30 Gy组高;XRCC4基因在照后7天表达量达到最高,而XRCC5和XRCC6基因在照后6 h达到最高,XRCC4、XRCC5和XRCC6基因表达量均在照后30天达到最低。结论通过本项目研究发现NHEJ通路中与DNA损伤修复有关基因XRCC4、XRCC5、XRCC6在电离辐射所致脑损伤照射不同剂量点及照后不同时间点均上调表达,说明在10、20、30 Gy照射和电离辐射后6 h、24 h、72 h、7天、30天五个不同时间点机体均通过NHEJ通路进行DNA双链修复,且在照后6h和第7天修复能力最强。

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