期刊在线咨询服务,发表咨询:400-888-9411 订阅咨询:400-888-1571股权代码(211862)
关键词:铁电体 独立栅finfet 低功耗 器件优化 器件建模
摘要:为了能够持续缩小MOSFET的工作电压,增加集成电路设计的灵活性,我们提出了一种铁电-金属-绝缘层-半导体-绝缘层(FMISI)结构的负电容独立栅FinFET(NC-IMG-FinFET)。给出了NC-IMG-FinFET器件及其反相器的分析模型,用于分析器件的性能参数(阈值电压,亚阈值摆幅,导通电流和漏电流)及简单电路的性能指标(延时,功耗和功耗延时积)。结合独立栅的BSIM模型和铁电的Landau-Khalatnikov模型,构造出用于仿真验证的NC-IMG-FinFET的SPICE模型。基于对器件和电路的仿真,优化了铁电参数。仿真结果与理论分析结果一致,表明了NC-IMG-FinFET相比于基准器件更加卓越的性能:NC-IMG-FinFET在更低的工作电压下实现了更小的漏电流,更大的开关电流比,同时亚阈值摆幅突破了60mV/dec的限制;NC-IMG-FinFET电路的功耗和功耗延时积也得到了很大的改进。
无线通信技术杂志要求:
{1}“一”后加“、”号,“l”后加“.”,(一)、(l)不加任何标点,‘第一”、‘首先”后面均要加“,”号。
{2}来稿应论点明确,论证周密,数据可靠,文字通顺,语句精炼。
{3}附上300字左右的中英文摘要、5-8个中英文关键词。摘要应能反应论文的核心内容。
{4}所有来稿请注明真实姓名、工作单位、职务(职称)、联系方式。
{5}如系国家、省部级重大科技攻关项目或有创新性的科研成果论文,亦请在介绍信中说明。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社