关键词：电子束光刻 x射线透射光栅 邻近效应校正 x射线光刻 

摘要：为了制备高线密度X射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA电子束抗蚀剂，克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000 line／mm X射线透射光栅的掩模，并将栅线宽度精确控制在100nm～110nm，为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件。

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