关键词：嵌入式闪存 高压 ate 自校准 高效 

摘要：嵌入式闪存(Embedded Flash,EFlash)内部高压的准确性对其读取、编程和擦除的有效性至关重要.为了EFlash IP的高压误差尽可能小,电路预留了可调接口用于调整内部高压的数值.通过提出自动检测的算法和设计集自动化检测和校准一体的自测电路,达到快速校准高压的目的.实验以一个2 M存储容量的EFlash为对象,实现校准时间从3 s到30 ms的减少.

微电子学与计算机杂志要求:

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{3}文题:力求简明，能够准确反映文章主题。中文文题一般不超过20个汉字，尽量不设副标题、不用标点符号、不使用缩略语，中英文题名含义应一致。

{4}参考文献，用于说明文中引文的出处，一律放在文末。

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