关键词：坩埚下降法 红外 砷化镓晶体 透过率 

摘要：利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体，坩埚下降炉控温1260℃，晶体以2．5mm／h速度在温度梯度为10℃／cm的条件下结晶生长．PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1～3mm的砷化镓单晶颗粒．生长的砷化镓晶体直径约50．8mm，总长约140mm．晶体头部放肩阶段存在异相成核，尾部出现多晶．截断后获得的砷化镓单晶长约100mm，成晶率达70％．砷化镓单晶结晶质量良好，头尾平均位错密度分别为868cm-2和1436cm-2，电阻率达10^7Ω·cm量级．砷化镓单晶整体红外透过率约为55％，接近最高理论透过率55．8％．满足工业界使用要求．

上海应用技术学院学报杂志要求:

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