Zr掺杂对CeO2(111)表面空位形成及电子结构的影响

关键词：zr掺杂 氧空位 电子结构 态密度 

摘要：利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO 2(111)表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO 2(111)表面的氧空位形成能,表明对其态密度无明显的影响.Zr掺杂前后的还原体系态密度图均在靠近费密能级左侧出现1个间隙态,表明有Ce^4+被还原为Ce^3+.

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