关键词：28nm工艺 高速io设计 esd 

摘要：高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一。传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽。针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构。然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计。最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率。

计算机与数字工程杂志要求:

{1}注释主要包括释义性注释和引文注释。释义性注释是对文章正文中某一特定内容的进一步解释或补充说明；引文注释包括各种引用文献的原文摘录，要详细注明节略原文。

{2}请勿一稿多投，本刊实行双向匿名审稿制，稿件三个月后未被采用，作者可自行处理。

{3}请勿一稿两投；请遵循学术规范，如出现剽窃，文责自负。

{4}引言切忌与摘要雷同，也不是摘要的注释；应与结语呼应，引言中提出的问题，结语中应有回答，但不能雷同。

{5}关键词：一般每篇论文标引2～5个关键词。请尽量使用美国国立医学图书馆编辑的最新版IndexMedicus中医学主题词表(MesH)内所列的词。必要时，可采用习用的自由词并排列于最后。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社