关键词：激光技术 碳等离子体羽辉 增强型ccd成像 c2自由基 

摘要：为了研究C2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd∶YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C2和C^+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C2和C^+的发射特性。当空气气压为10^-2 Pa和3Pa时,C2发射峰值位于靶材附近,此时C2的形成主要为靶材的直接发射;气压增大至50Pa时,由于气相重组反应加强,等离子体前端出现另一个C2的发射峰值,其峰值位置与C^+一致,并且其逐渐占C2发射的主导地位,此时C2的形成主要来源于重组反应,C^+发射光强要大于C2;当气压进一步增大至130Pa时,气相重组反应增加,在等离子体前端出现C 2的发射强度增强,在1.3μs之后,C2的发射强度大于C^+。结果表明,随着气压的变化,C2的发射峰值位置和强度发生明显变化。这一结果对碳等离子体沉积碳纳米材料原理研究是有帮助的。

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