Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑在TiO2(100)表面吸附的理论研究

关键词：4 掺杂 tio 密度泛函理论 

摘要：采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑(DTBT-Si)在TiO2(100)表面的吸附。通过吸附前后化合物DTBT-Si的Mulliken charge和前线轨道分析表明:当DTBT-Si吸附在TiO2(100)表面时,DTBT-Si表面向TiO2(100)转移0.923e电荷,同时前线轨道能隙变窄。

河南化工杂志要求:

{1}来稿应符合保密规定，文责自负，请勿一稿两投或多投。

{2}文章大标题不超过20字，要简明、具体、可以概括全文，特别有必要的时候可以加副标题。

{3}作者简介：作者姓名、出生年、性别、民族、籍贯、职称、学位及研究方向。

{4}参考文献：将参考文献按正文中出现的先后顺序排列编号，并用数字加方括号标注并集中排列在注释后。

{5}正文文字请用宋体五号；独立引文用仿宋五号（起四回二）。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社