SOI基微环滤波器的可调谐性研究

关键词：绝缘体上硅 微环谐振器 可调谐性 

摘要：研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0~26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性。

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