关键词：650nm激光器 陡峭脊型 基横模 近圆形光斑 

摘要：红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方面增加了应用成本。为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650 nm脊型半导体激光器。结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光场扩展结构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角。通过电感耦合等离子刻蚀技术得到陡峭的2μm宽度的窄脊型结构,然后通过湿法工艺去除损伤并腐蚀到阻挡层位置。干湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出。制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服了传统半导体激光器光斑狭长的缺点。功率测试在30 mW以上没有出现功率曲线扭折,并且制作的激光器通过了60℃下10 mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18 000 h。

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