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沟槽栅IGBT结构参数设计与动、静态性能优化

Luther; Ngwendson; 朱春林; Ian; Deviny 丹尼克斯半导体; 英国林肯LN63LF; 新型功率半导体器件国家重点实验室; 湖南株洲412001

关键词:绝缘栅双极晶体管 设计参数 沟槽栅 软穿通 

摘要:近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、栽流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。

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