关键词：功率开关 器件结构 封装技术 新材料 

摘要：目前，采用精细化沟槽栅技术、薄片加工技术、场阻技术和发射极载流子浓度增强技术的器件结构已成为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的主流结构，同时新的器件结构技术、封装技术和新材料技术也成为业界研究的重点。文章针对近年来有关IGBT所取得的最新研究进展，从器件结构、封装技术、国际主要厂商的技术发展、新材料器件等方面对IGBT器件新技术及发展趋势进行了系统的梳理和概述。

大功率变流技术杂志要求:

{1}注释：以尾注形式进行注释，在文章中相应出处的右上角用①等标识。

{2}文稿要求:内容真实，论点明确，论据充分，重点突出。说理透彻，文字精练，具有实用性、真实性、科学性和逻辑性。

{3}中文文题一般在20个汉字左右，作者姓名及工作单位在文题下，按顺序排列。

{4}书名、期刊名及报刊名首字母大写，用斜体；英文文章名除首字母及专用名词大写外一律小写。

{5}关键词也叫索引词,是从论文中选出来用以表示全文主题内容的单词或术语，要求尽量使用规范性词。

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